Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK16G120C5XTMA1
SIC DISCRETE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK16G120C5
IDK16G120C5XTMA1 Hakkında
IDK16G120C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide Schottky diyotudur. 40A ortalama düzeltilmiş akım ve 1.95V maksimum ileri gerilim ile tasarlanmıştır. Surface Mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Sıfır reverse recovery time özelliğine sahip olan bu SiC diyot, yüksek frekanslı güç dönüştürme uygulamalarında, invertör devrelerde, DC/DC konvertörlerde ve solar inverter sistemlerinde kullanılmaktadır. 80µA reverse leakage akımı ve 730pF kapasitans değerleri verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 730pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 40A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 80 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.95 V @ 16 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok