Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK12G65C5XTMA2
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK12G65C5
IDK12G65C5XTMA2 Hakkında
IDK12G65C5XTMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim ve 12A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan bu komponent, yüksek hız anahtarlama uygulamalarında düşük ileriye doğru gerilim düşüşü (1.8V @ 12A) sağlar. Sıfır Reverse Recovery Time (trr) özelliği ile hızlı diyot olarak sınıflandırılır ve bu da anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajı paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, invertörler, PFC devreler ve diğer yüksek frekanslı doğrultma uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 360pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A (DC) |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 12 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok