Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK12G65C5XTMA1
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK12G65C5
IDK12G65C5XTMA1 Hakkında
IDK12G65C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V 12A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu tekil doğrultucu diyot, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.8V forward voltage ile düşük enerji kaybı sağlar. Reverse recovery time'ı 0ns olup hızlı anahtarlama karakteristiği vardır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Endüstriyel güç dönüştürme, AC/DC adaptörler ve enerji yönetim sistemlerinde uygulanır. Surface mount montajı ile kompakt tasarımları destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 360pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2.1 mA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 12 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok