Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK10G65C5XTMA2
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK10G65C5XTMA2
IDK10G65C5XTMA2 Hakkında
IDK10G65C5XTMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters gerilim kapasitesine sahip bu bileşen, 10A DC ortalama doğrultma akımı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde surface mount uygulamalar için tasarlanmıştır. 1.8V ileri gerilim düşüşü ile düşük ısı kaybı sağlar. Sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde yüksek hızlı güç dönüştürücüleri, şarj cihazları, UPS sistemleri ve enerji yönetim uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok