Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK10G120C5XTMA1
SIC DISCRETE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK10G120C5X
IDK10G120C5XTMA1 Hakkında
IDK10G120C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 1200V ters gerilim dayanımı ve 31.9A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde Surface Mount yapısıyla sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 1.8V düşük forward gerilim düşüşü ve hızlı komütasyon özellikleriyle güç dönüştürücüler, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 525pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 31.9A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 18 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok