Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK09G65C5XTMA1
DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO263-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK09G65C5XTMA1
IDK09G65C5XTMA1 Hakkında
IDK09G65C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters gerilim ve 9A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulur. Forward gerilimi 1.8V @ 9A olup, Reverse Recovery Time (trr) 0ns olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç kaynakları, enerji dönüştürme devreleri, anahtarlı mod güç kaynakları (SMPS) ve fotovoltaik uygulamalarında kullanılır. Düşük ters sızıntı akımı (1.6mA @ 650V) ve minimal kapasitans değerleriyle (270pF @ 1V) yüksek frekans uygulamalarına uygundur. Bu ürün Digi-Key'de üretim durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 270pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 9A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1.6 mA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 9 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok