Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK08G120C5XTMA1
SIC DISCRETE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK08G120C5XTMA1
IDK08G120C5XTMA1 Hakkında
IDK08G120C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 1200V ters gerilim dayanımına sahip bu doğrultma diyotu, 22.8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.95V ileri gerilimi ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Hızlı anahtarlama özelliği ve kurtarma zamanı olmayan yapısıyla (>500mA), yüksek frekans inverter, şarj cihazı ve UPS uygulamalarında tercih edilir. 365pF kapasitans değeri ile EMI performansı iyileştirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 365pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 22.8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.95 V @ 8 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok