Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK06G65C5XTMA1
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK06G65C5
IDK06G65C5XTMA1 Hakkında
IDK06G65C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj derecelendirilmesi ve 6A DC doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu diyot, anahtarlamalı güç kaynakları, invertörler, PFC devreleri ve yüksek frekanslı doğrultma uygulamalarında tercih edilir. Silicon Carbide malzeme özellikleri sayesinde sıfır reverse recovery time sunarak anahtarlama kayıplarını minimize eder. Maksimum forward voltajı 1.8V @ 6A olan bileşen, -55°C ile 175°C junction sıcaklık aralığında çalışır. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 190pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1.1 mA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 6 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok