Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK05G65C5XTMA1
DIODE SCHOTTKY 650V 5A TO263-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK05G65C5XTMA1
IDK05G65C5XTMA1 Hakkında
IDK05G65C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters gerilim ve 5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 1.8V maksimum ileri gerilim düşüşü ve sıfır recovery time karakteristiği ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-263-2 (D²Pak) yüzey monte paket türüne sahip olup, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Boost konvertörleri, PFC devreler, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir. 160pF kapasitans değeri (1V, 1MHz) hızlı anahtarlamaya uygun tasarımdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 160pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 830 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok