Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK05G120C5XTMA1
SIC DISCRETE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK05G120C5
IDK05G120C5XTMA1 Hakkında
IDK05G120C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. Surface mount TO-263-3 paketinde sunulan bu diskrit diyot, yüksek voltaj anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. 19.1A DC ortalama doğrultma akımı ve 1.8V maksimum forward voltajı ile düşük kayıp uygulamalar sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, hızlı anahtarlama karakteristiği ve 33µA reverse leakage akımı ile enerji dönüşüm sistemlerinde, güç elektronikleri ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 301pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 19.1A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 33 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok