Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK04G65C5XTMA1
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO263-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK04G65C5XTMA1
IDK04G65C5XTMA1 Hakkında
IDK04G65C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V 4A SiC (Silicon Carbide) Schottky diyotdur. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 1.8V forward voltage ile karakterize edilen diyot, 0 ns reverse recovery time sağlayarak hızlı anahtarlama operasyonlarına uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, solar inverterler, UPS sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanım için uygundur. 130pF @ 1V capacitance değeri ve 670µA @ 650V reverse leakage current özellikleri dikkat edilmesi gereken parametrelerdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 670 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 4 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok