Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK02G65C5XTMA2
SIC DIODES
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK02G65C5XTMA2
IDK02G65C5XTMA2 Hakkında
IDK02G65C5XTMA2, Rochester Electronics tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 2A DC ortalama düzeltilmiş akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. 650V ters gerilim dayanımına sahip bu bileşen, düşük ileriye doğru gerilim düşüşü (1.8V @ 2A) ve sıfır reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 D²Pak yüzey montaj paketi ile sunulan diyot, yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilir (-55°C ~ 175°C). Güç kaynakları, motor kontrol, PV inverter ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 70pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 330 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 2 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok