Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDK02G120C5XTMA1
SIC DISCRETE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDK02G120C5
IDK02G120C5XTMA1 Hakkında
IDK02G120C5XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 1200V DC ters voltaj kapasitesine sahip bu bileşen, 11.8A ortalama doğrultulu akım sağlamaktadır. Forward voltajı 2A'da maksimum 1.65V olan bu diyot, düşük kapasitans (182pF @ 1V, 1MHz) ve hızlı anahtarlama özelliğiyle öne çıkmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Surface Mount pakete (TO-263-3, D²Pak) sahiptir. Güç kaynakları, invertörler, güç dönüştürücüler ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 182pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 11.8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 18 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok