Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

IDH20G65C6XKSA1

DIODE SCHOTTKY 650V 41A TO220-2

Paket/Kılıf
TO-220-2
Seri / Aile Numarası
IDH20G65C6XKSA1

IDH20G65C6XKSA1 Hakkında

IDH20G65C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters voltaj derecesi ve 41A ortalama doğrultulmuş akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir yariiletken bileşendir. TO-220-2 paketinde sunulan bu diyot, 1.35V forward voltage @ 20A değeri ile verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu komponent, sıfır reverse recovery time (trr) özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç kaynakları, invertörler, PFC devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 41A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 67 µA @ 420 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-220-2
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package PG-TO220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.35 V @ 20 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok