Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH12G65C6XKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 27A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH12G65C6XKSA1
IDH12G65C6XKSA1 Hakkında
IDH12G65C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters gerilim dayanımı ve 27A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, 1.35V ön gerilim düşümü ile düşük enerji kaybı sağlar. Recovery time'ı sıfır nanosaniye olan bu diyot, anahtarlama uygulamalarında yüksek verimlilik ve hızlı komütasyon özellikleri ile güç elektroniği sistemlerinde, invertörler, AC/DC konvertörler ve boost dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 594pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 27A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 420 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 12 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok