Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH10SG60CXKSA2
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH10SG60CXKSA2
IDH10SG60CXKSA2 Hakkında
IDH10SG60CXKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 600V ters voltaj kapasitesi ve 10A DC ortalama düzeltilmiş akım ile tasarlanmıştır. TO-220-2 paketinde sunulan bu diyot, yüksek frekans uygulamalarında sıfır reverse recovery time (trr) sağlayarak verimli çalışma garantiler. 2.1V ileri voltaj düşümü ve 90µA ters sızıntı akımı özellikleriyle güç dönüştürme, invertör, UPS ve güneş enerjisi sistemlerinde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 290pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok