Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH10G65C6XKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH10G65C6XKSA1
IDH10G65C6XKSA1 Hakkında
IDH10G65C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters gerilim kapasitesine ve 24A DC doğrultma akımına sahip olan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devrelerde, solar panel sistemlerinde ve endüstriyel güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. TO-220-2 paket tipi ile montaj kolaylığı sağlar. Düşük ön kapı gerilimi (1.35V @ 10A) ve sıfır geri kazanım süresi sayesinde yüksek frekans uygulamalarında verimliliği artırır. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, çeşitli ortam koşullarında kullanım imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 495pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 24A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 33 µA @ 420 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok