Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH10G65C5ZXKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH10G65C5ZXKSA1
IDH10G65C5ZXKSA1 Hakkında
IDH10G65C5ZXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyotudur. 650V ters gerilim ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, 1.7V maksimum ileri gerilim (@10A) ve 0ns ters kurtarma süresine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) çalışabilir ve yüksek verimli güç uygulamalarında, enerji dönüşüm devrelerinde ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılır. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde düşük ters sızıntı akımı (180µA @ 650V) ve hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 180 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok