Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH10G65C5XKSA2
DIODE SCHOTKY 650V 10A TO220-2-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH10G65C5XKSA2
IDH10G65C5XKSA2 Hakkında
IDH10G65C5XKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters voltaj ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek voltajlı güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde sağlanan bileşen, ön voltajda 1.7V @ 10A karakteristiği ile enerji verimliliğinin önemli olduğu switch-mode güç kaynakları, güç faktörü düzeltme devreleri (PFC), ön uç doğrultucular ve SiC MOSFET uygulamalarında tercih edilir. Sıfır reverse recovery time özelliği ile hızlı anahtarlama gerçekleştirilmesini sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 180 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok