Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH10G120C5XKSA1
DIODE SCHOT 1200V 10A TO220-2-1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH10G120C5XKSA1
IDH10G120C5XKSA1 Hakkında
IDH10G120C5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V 10A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, düşük ileri gerilim düşüşü (1.8V @ 10A) ve sıfır reverse recovery time ile karakterizedir. 525pF kapasitansta (1V, 1MHz) düşük gate kapasitansı sağlar. Maksimum 62µA reverse leakage akımı ile 1200V ters gerilim dayanımına sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç kaynakları, şarj devreleri, AC/DC konvertörler ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Through Hole montajı ile PCB'ye doğrudan entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 525pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 62 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok