Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH09G65C5XKSA2
DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH09G65C5XKSA2
IDH09G65C5XKSA2 Hakkında
IDH09G65C5XKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V reverse voltaj ve 9A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-2 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 1.7V ileri voltajda çalışır ve reverse recovery time değeri 0ns olup yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, inverterler, motorlar ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında tercih edilir. SiC teknolojisinin sağladığı düşük kapasite ve minimum ters akım özelliği, enerji verimliliğinin önemli olduğu sistemlerde etkili performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 270pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 9A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 160 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 9 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok