Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH09G65C5XKSA2
SIC DIODES
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH09G65C5XKSA2
IDH09G65C5XKSA2 Hakkında
IDH09G65C5XKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters gerilim sınırlaması ve 9A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Sıfır reverse recovery time (trr) özelliği sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirerek enerji kaybını azaltır. TO-220-2 paket ile montajı kolaydır. -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Şebeke düzeltici devreleri, inverter sistemleri, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 1.7V forward voltage @ 9A ile düşük iletim kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 270pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 9A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 160 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 9 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok