Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

IDH08SG60CXKSA1

DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2

Paket/Kılıf
TO-220-2
Seri / Aile Numarası
IDH08SG60CXKSA1

IDH08SG60CXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IDH08SG60CXKSA1, Silicon Carbide (SiC) Schottky teknolojisine dayanan yüksek hızlı doğrultma diyotudur. 600V ters voltaj ve 8A ortalama doğrultma akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılmaktadır. Zero recovery time (trr = 0 ns) özelliği sayesinde düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 2.1V ön voltaj değeri ve düşük ters sızıntı akımı (70 µA @ 600V) ile verimli çalışan tasarımlar için uygundur. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, UPS sistemleri, endüstriyel dönüştürücüler, solar inverterleri ve AC/DC güç kaynağı devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 8A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 70 µA @ 600 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-220-2
Part Status Market
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package PG-TO220-2-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.1 V @ 8 A

Kaynaklar

Datasheet

IDH08SG60CXKSA1 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok