Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH08G65C6XKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH08G65C6
IDH08G65C6XKSA1 Hakkında
IDH08G65C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters gerilim dayanımına ve 20A DC doğrultama akımına sahip bu bileşen, yüksek frekanslı güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Schottky diyotlar, düşük forward voltaj düşüşü (1.35V @ 8A) ve sıfır recovery time özelliği sayesinde enerji verimliliğini artırır. TO-220-2 pakette sunulan komponent, endüstriyel güç kaynakları, inverterler, solar panellerle entegreli sistemler ve elektrik motor sürücülerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, zorlu çevre koşullarına uygulamayı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 401pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 420 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok