Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH08G65C5XKSA2
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH08G65C5XKSA2
IDH08G65C5XKSA2 Hakkında
IDH08G65C5XKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters kapanma voltajı ve 8A ortalama doğrultulmuş akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, sıcaklık aralığında -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Forward voltajı maksimum 1.7V @ 8A olup, 0ns ters iyileşme süresi (trr) sayesinde hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında tercih edilir. Düşük kapasitans değeri (250pF @ 1V) ve minimal ters sızıntı akımı (140µA @ 650V) karakteristikleri ile verimli devre tasarımına katkı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 250pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 140 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok