Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH08G65C5XKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH08G65C5XKSA1
IDH08G65C5XKSA1 Hakkında
IDH08G65C5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V DC ters voltaj ve 8A DC ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle yüksek voltajlı güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketi ile delinmiş kurulum tipidir. 1.7V ileri voltaj düşümü ve 280µA ters akım özellikleri vardır. Reverse recovery time'ı 0ns olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığına sahiptir. Güç kaynakları, şarj devreler, fotovoltaik invertörler ve endüstriyel güç dönüştürücülerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 250pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 280 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok