Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH08G120C5XKSA1
DIODE SCHOT 1200V 8A TO220-2-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH08G120C5
IDH08G120C5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IDH08G120C5XKSA1, 1200V ters voltaj kapasitesine sahip Silicon Carbide Schottky diyottur. 8A ortalama doğrultulmuş akım ve 1.95V ileri voltaj düşüşü ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. Sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine ve yüksek frekans devrelerine uygun tasarlanmıştır. TO-220-2 paketinde sunulan komponent, güç dönüştürücüler, invertörler, solar sistemler ve elektrik motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 40µA ters kaçak akımı ile düşük standby kayıpları sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 365pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.95 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok