Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

IDH06G65C6XKSA1

DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2

Paket/Kılıf
TO-220-2
Seri / Aile Numarası
IDH06G65C6XKSA1

IDH06G65C6XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IDH06G65C6XKSA1, Silicon Carbide Schottky diyot teknolojisini kullanan yüksek voltaj doğrultucu diyotudur. 650V ters voltaj kapasitesine ve 16A DC ortalama doğrultma akımına sahiptir. TO-220-2 paketinde sunulan bu diyot, hızlı anahtarlama uygulamalarında ve güç kaynakları, invertörler, enerji dönüştürme sistemleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Düşük forward voltage (1.35V @ 6A) ve sıfır reverse recovery time karakteristiği ile enerji kayıplarını azaltır. -55°C ile 175°C arasında güvenle çalışabilir ve through-hole montajı destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 302pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 16A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 20 µA @ 420 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-220-2
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package PG-TO220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.35 V @ 6 A

Kaynaklar

Datasheet

IDH06G65C6XKSA1 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok