Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH06G65C5XKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH06G65C5
IDH06G65C5XKSA1 Hakkında
IDH06G65C5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V 6A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyotudur. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 1.7V maksimum forward voltajı ve 0 ns reverse recovery time özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, invertörler, solar paneller ve UPS sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Through-hole montajı ile PCB'ye direkt olarak takılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 190pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 210 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok