Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH05G65C5XKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 5A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH05G65C5
IDH05G65C5XKSA1 Hakkında
IDH05G65C5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj dayanımına ve 5A ortalama doğrultulmuş akıma sahiptir. TO-220-2 paketinde monte edilen bu diyot, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultucu olarak çalışır. 1.7V forward voltage değeri ile enerji kaybı minimumda tutulur. Reverse recovery time'ı 0 ns olması, hızlı anahtarlama uygulamalarında avantaj sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluk gösterir. Power supply devrelerinde, AC/DC dönüştürücülerde ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 160pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 170 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok