Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH05G120C5XKSA1
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH05G120C5XKSA1
IDH05G120C5XKSA1 Hakkında
IDH05G120C5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1.2kV 5A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görür. Forward voltajı 1.8V @ 5A ve reverse leakage akımı 1200V'da 33µA olan bu diyot, sıfır recovery time özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar. Güç kaynakları, invertörler, fotovoltaik sistemler ve endüstriyel elektronik devrelerde kullanılır. Through-hole montajı sayesinde konvansiyonel PCB tasarımlarına kolaylıkla integre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 301pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 33 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok