Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH04SG60CXKSA2
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH04SG60CXKSA2
IDH04SG60CXKSA2 Hakkında
IDH04SG60CXKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-220-2 paketinde sunulan bu komponent, 600V ters gerilim ve 4A doğrultulmuş akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Zero recovery time karakteristiği sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. 2.3V ileri voltaj düşümü ve 25µA ters kaçak akımı ile verimliliği artırır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 80pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.3 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok