Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH04G65C6XKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH04G65C6XKSA1
IDH04G65C6XKSA1 Hakkında
IDH04G65C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters voltaj ve 12A ortalama doğrultulmuş akım yeteneği ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, düşük forward voltage (1.35V @ 4A) ve sıfır reverse recovery time (trr) karakteristiği ile enerji dönüşüm devrelerinde verimlilik sağlar. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasında değişmektedir. Anahtarlama güç kaynakları, inverter devreleri, UPS sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 205pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 14 µA @ 420 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 4 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok