Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH04G65C5XKSA2
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2-1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH04G65C5XKSA2
IDH04G65C5XKSA2 Hakkında
IDH04G65C5XKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj dayanımı ve 4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, 1.7V maksimum forward voltaj düşümü ve 0ns reverse recovery time özellikleri sayesinde anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında verimli doğrultma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Reverse leakage akımı 70µA@650V ile kontrol edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 70 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok