Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH04G65C5XKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH04G65C5XKSA1
IDH04G65C5XKSA1 Hakkında
IDH04G65C5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters voltaj değerine ve 4A ortalama doğrultulmuş akımına sahiptir. TO-220-2 paketinde sağlanan bu bileşen, düşük Reverse Recovery Time (0 ns) karakteristiği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 1.7V forward voltaj ile minimum enerji kaybı sağlar. Güç kaynağı devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. TO-220-2 konfigürasyonu kolay montaj ve yeterli ısı dağıtımını sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 140 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok