Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH03G65C5XKSA1
DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH03G65C5XKSA1
IDH03G65C5XKSA1 Hakkında
IDH03G65C5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 3A kapasitesinde Silicon Carbide Schottky diyotudur. TO-220-2 paketinde sunulan bu doğrultma diyotu, güç kaynakları, invertörler ve yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.7V ön gerilim düşümü ve sıfır reverse recovery time özellikleri ile düşük kayıplar ve verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Ters doyum akımı 50µA @ 600V ile nitelendirilmiştir. Through hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 100pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok