Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH02SG120XKSA1
DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH02SG120XKSA1
IDH02SG120XKSA1 Hakkında
IDH02SG120XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 1200V ters gerilim ve 2A ortalama doğrultma akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, sıfır recovery time (trr) özelliğine sahip olup yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.8V forward voltage @ 2A ve 48µA reverse leakage @ 1200V ile karakterize edilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu diyot, güç kaynakları, invertörler ve doğrultma devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Düşük kapasitans değeri (125pF @ 1V) sayesinde EMI etkisini minimize eder. Bileşen üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 125pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 48 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 2 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok