Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDH02G120C5XKSA1
DIODE SCHOT 1200V 2A TO220-2-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDH02G120C5
IDH02G120C5XKSA1 Hakkında
IDH02G120C5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/2A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 175°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilen komponentin ön gerilim düşüşü 1.65V'dur. Sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel dönüştürücü devrelerde tercih edilir. 18µA ters sızıntı akımı ile düşük güç kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 182pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 18 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 2 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok