Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDDD12G65C6XTMA1
SIC DIODES
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDDD12G65C6XTMA1
IDDD12G65C6XTMA1 Hakkında
IDDD12G65C6XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V maksimum ters gerilim ve 34A DC ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Surface Mount tipi Surface Mounted diyot olup, 10-PowerSOP Module paketinde sunulmaktadır. Sıfır ters toplanma süresi (0 ns) sayesinde 500mA üstündeki akımlarda hızlı anahtarlamaya imkan sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 1MHz'de 594pF kapasitans değeri ile enerji dönüştürme, güç yönetimi, inverter ve PFC devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 594pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 34A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 420 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok