Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDDD10G65C6XTMA1
SIC DIODES
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDDD10G65C6
IDDD10G65C6XTMA1 Hakkında
IDDD10G65C6XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj kapasitesine sahip bu komponent, 29A ortalama doğrulturulmuş akım özelliğiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Sıfır reverse recovery time (trr) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 495pF kapasitans değeri ve düşük 33µA ters kaçak akımı ile verimli çalışma karakteristiğine sahiptir. Surface Mount paketlemesi (10-PowerSOP Module) ile kompakt tasarımlara uygundir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, invertörler, şarj cihazları ve endüstriyel doğrultucu uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 495pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 29A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 33 µA @ 420 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok