Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDDD08G65C6XTMA1
SIC DIODES
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDDD08G65C6XTMA1
IDDD08G65C6XTMA1 Hakkında
IDDD08G65C6XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters gerilim kapasitesi ve 24A ortalama doğrultulmuş akım ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde anahtarlama kaybını minimalize eder. Surface Mount PG-HDSOP-10-1 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda rectifier olarak çalışır. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 401pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 24A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 420 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok