Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDDD06G65C6XTMA1
SIC DIODES
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDDD06G65C6
IDDD06G65C6XTMA1 Hakkında
IDDD06G65C6XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters voltaj kapasitesi ve 18A ortalama doğrultulmuş akım sınırlaması ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Reverse recovery time'ı sıfır olması sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder ve frekans çalışmada verimliliği artırır. Surface Mount paketi (10-PowerSOP) ile kompakt devre tasarımlarına uyumludur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel invertörler, güç kaynakları, PFC (Power Factor Correction) devreleri ve yüksek frekans doğrultma uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 302pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 18A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 420 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok