Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDDD06G65C6XTMA1
SIC DIODES
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDDD06G65C6XTMA1
IDDD06G65C6XTMA1 Hakkında
IDDD06G65C6XTMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj dayanımı ve 18A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. Surface mount PG-HDSOP-10-1 pakette sunulan bu komponent, sıfır reverse recovery time özelliğiyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Yüksek verimli AC/DC dönüştürücüler, inverter devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılmaktadır. 302pF @ 1V, 1MHz kapasitans değeri ile düşük kapasitif etkiler sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 302pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 18A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 420 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok