Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

IDD04SG60CXTMA2

DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IDD04SG60C

IDD04SG60CXTMA2 Hakkında

IDD04SG60CXTMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 4A kapasitesinde Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-252-3 (DPak) yüzey monte paketi ile sunulan bu bileşen, düşük reverse recovery time karakteristiği sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 2.3V @ 4A maksimum forward voltaj değeri ile güç dönüştürme sistemlerinde, AC/DC adaptörlerde, güç kaynağı üniteleri ve endüstriyel invertörlerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Düşük kapasitans değeri (80pF @ 1V) ve ihmal edilebilir reverse recovery time, EMI azaltılması gereken uygulamalar için avantaj sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 4A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 µA @ 600 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package PG-TO252-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.3 V @ 4 A

Kaynaklar

Datasheet

IDD04SG60CXTMA2 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok