Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

IDD04SG60CXTMA1

DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IDD04SG60CX

IDD04SG60CXTMA1 Hakkında

IDD04SG60CXTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 600V ters voltaj kapasitesi ve 5.6A ortalama doğrultulmuş akım özelliğine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sağlanır. Düşük kapasitans (80pF @ 1V) ve sıfır ters kazanım süresi (trr) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Maksimum ileri voltaj 2.3V @ 4A olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. Bu bileşen güç elektronikleri, invertörler, AC/DC dönüştürücüler ve yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Ürün Digi-Key tarafından üretilmiş olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 5.6A
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 µA @ 600 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.3 V @ 4 A

Kaynaklar

Datasheet

IDD04SG60CXTMA1 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok