Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDC51D120T6MX1SA3
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDC51D120T6MX1SA3
IDC51D120T6MX1SA3 Hakkında
IDC51D120T6MX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen 1.2kV standart doğrultucu diyottur. 100A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu wafer tipi diyot, yüksek gerilim güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Maksimum forward voltajı 100A'de 2.05V olan bu bileşen, ters kaçak akımı 1200V'de 18µA'dir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, endüstriyel şarj cihazları, güç kaynakları, invertörler ve diğer AC/DC dönüşüm uygulamalarında yer alır. Surface mount die paketi kullanılarak entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 18 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.05 V @ 100 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok