Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDC28D120T6MX1SA2
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDC28D120T6MX1SA2
IDC28D120T6MX1SA2 Hakkında
IDC28D120T6MX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/50A kapasiteli standart doğrultucu diyottur. Surface mount wafer paketinde sunulan bu komponent, 2.05V @ 50A ön gerilim düşümü ve 10µA @ 1200V ters kaçak akımı karakteristiğine sahiptir. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu diyot, 500ns üzeri iyileşme zamanı ile standart hızda uygulamalarda kullanılır. Güç kaynakları, endüstriyel doğrultma devreleri ve yüksek gerilim uygulamalarında tercih edilir. Ürün durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 50A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.05 V @ 50 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok