Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDC08S60CEX1SA3
DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDC08S60CEX1SA3
IDC08S60CEX1SA3 Hakkında
IDC08S60CEX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 8A Silicon Carbide Schottky diyottur. Die paket formunda sunulan bu bileşen, yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilmesi (-55°C ~ 175°C), sıfır reverse recovery time (trr) özelliği ve düşük ön gerilim düşüşü (1.7V @ 8A) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş bant genişliği (310pF @ 1V) ve kontrollü ters akım sızıntısı (100µA @ 600V) özellikleriyle, güç dönüştürme, invertör ve yüksek frekanslı doğrultma devrelerinde tercih edilir. Bileşen halen tüketimde olsa da pazardan çekilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 310pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | Die |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok