Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

IDC08S60CEX1SA2

DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
IDC08S60CEX1SA2

IDC08S60CEX1SA2 Hakkında

IDC08S60CEX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/8A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. Surface mount Die paketinde sunulan bu diyot, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmek üzere tasarlanmıştır. 1.7V ileri gerilim düşümü ve 0ns ters kazanım süresi ile karakterize edilen bileşen, anahtarlama güç kaynakları, UPS sistemleri, güneş enerjisi invertörleri ve endüstriyel elektrik dönüştürücülerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında işlev görebilir. 310pF kapasitans değeri @1V, 1MHz ve 100µA ters sızıntı akımı @600V özellikleri, bu bileşenin hassas anahtarlama uygulamalarında da uygulanabilir olmasını sağlar. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 8A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 600 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package Die
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 8 A

Kaynaklar

Datasheet

IDC08S60CEX1SA2 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok