Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDC08S120EX7SA1
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDC08S120EX7SA1
IDC08S120EX7SA1 Hakkında
IDC08S120EX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 7.5A kapasiteli Silicon Carbide Schottky doğrultucu diyottur. Yüksek voltaj uygulamalarında hızlı anahtarlama ve düşük iletiş kaybı sağlayan bir bileşendir. 1.8V ileri gerilim düşümü ile verimli güç dönüşümü gerçekleştirir. Reverse Recovery Time'ı 0 ns olup, 500mA üzerindeki akımlarda geri kazanım zamanı yoktur. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Enerji dönüştürme sistemleri, güç kaynakları, invertörler ve yüksek frekanslı anahtarlamalı güç kaynaklarında yaygın olarak kullanılır. Surface Mount pakette temin edilen bu diyot, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 380pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 7.5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 180 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 7.5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok